غول فناوری کره‌ای قصد دارد اسمارت فون‌های خود را با حفره بسیار کوچکتری طراحی کند (بخش دوم)

دو نوع طراحی مختلف

پتنت‌های نوین این کمپانی دو نوع طراحی مختلف را برای اجرای این ایده نمایش می‌دهند. یکی از این طراحی‌ها حفره کوچک را در گوشه بالا سمت چپ نمایشگر تعبیه کرده است در حالی که پتنت دیگر آن را در گوشه بالا سمت راست نمایشگر نشان می‌دهد. نوع نقشه‌ای که این کمپانی برای طراحی این دو نوع حفره نوین پیشنهاد کرده در این پتنت‌ها مشخص نیست، ولی حفره گوشه چپ ممکن است برای پنل‌های LCD و حفره راست هم برای صفحه نمایش‌های امولد در نظر گرفته شود. اگر این پیش بینی صحت داشته باشد، سری اسمارت فون‌های میان‌رده Galaxy M و احتمالا برخی از مدل‌های خانواده محبوب Galaxy A به حفره کوچک در گوشه بالا سمت چپ صفحه نمایش خود مجهز می‌شوند و در مقابل سایر مدل‌های سطح بالای سری Galaxy A با حفره در گوشه بالا سمت راست وارد بازار خواهند شد.

سامسونگ

طراحی نوین اسمارت فون‌های سال 2020

 این عکس‌ها نشان می‌دهد که ناچ حفره‌ای در موبایل‌های آینده این کمپانی با حاشیه بسیار کوچک توسعه پیدا می‌کند و بدین ترتیب فضای بسیار کمتری را از صفحه نمایش به خود اختصاص می‌دهد. با توجه به شایعه‌های قبلی، گلکسی اس 11 علاوه بر تغییر در پنل جلو همچنین به سیستم دوربین اصلی چهارگانه در پنل پشتی مجهز می‌شود. در واقع گفته می‌شود که اس 11 احتمالا مانند موبایل شیائومی Mi MIX Alpha که چند روز پیش رسما ارائه شد، از لنز استاندارد 108 مگا پیکسلی برخوردار خواهد شد. علاوه بر این، گفته می‌شود که لنزهای فوق عریض، سنسور ToF و همچنین لنز بهبود یافته تله فوتو با امکان بزرگنمایی اپتیکال تا 5 برابر هم برای این پرچمدار توانمند در نظر گرفته می‌شود.

در پایان

برعکس تلاش این کمپانی برای بهبود بخشیدن به فناوری فعلی در صفحه نمایش، این شرکت سازنده بدون شک تصمیم دارد در آینده نمایشگر تمام صفحه و کاملا بدون حاشیه و حفره را توسعه دهد. دوربین سلفی در این نوع طراحی پیشرفته زیر صفحه نمایش تعبیه می‌شود اما این نمایشگر هنوز آماده نشده است و انتظار می‌رود نخستین اسمارت فون‌های مجهز به چنین صفحه نمایشی حداقل تا سال 2021 عرضه نشوند. شاید شرکت سامسونگ بتواند در سال 2021 این حفره را از سری Galaxy M و Galaxy A خود به طور کامل حذف کند.

ارسال نظر

آدرس ایمیل شما منتشر نمی شود. فیلدهای الزامی میبایست تکمیل شوند.